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刘宝林
资料登记日期:2010-12-22 

教师姓名:刘宝林

性  别:

职称职务:教授/博导

电子邮箱:Blliu@xmu.edu.cn

  教育背景:
  1978年9月-1980年7月 江西省高安市高安中学
  1980年9月-1984年7月 中山大学物理系 本科
  1984年9月-1985年7月 成都电子科技大学 研究生
  1984年9月-1987年9月 电子工业部十三研究所 研究生
  1990年9月-1993年7月 吉林大学电子工程系,博士生

  任教/工作经历:
  1987年9月1990年8月 电子工业部十三研究所 助理工程师
  1993年9月-1995年12月 厦门大学物理系  讲师
  1995年9月-1999年9月 厦门大学物理系  副教授
  1999年10月-2001年8月 日本千叶大学工学部VBL实验室,副研究员;
  2001年9月-2003年12月 厦门大学物理系  副教授
  2003年12月-今  厦门大学物理系  教授 博导
  另外1994和1997年二次到 白俄罗斯科学院进行合作研究

  研究:
  本人长期从事InP基材料和器件的研究工作和GaN基材料器件研究10年。本人非常熟悉这二种材料的生长和器件工艺,有极强的半导体材料、器件及相关领域背景知识。
  本人的研究经验总结如下:
  1。外延生长:本人利用液相外延(LPE)和MOCVD生长InGaAs (p)/InP 和GaN多年,并曾安装一台MOCVD设备。
  2.测量表征技术:本人熟悉和操作 X射线衍射(HR-XRD),原子力显微镜( AFM),霍尔( Hall)系统,光荧光( PL)、场发射电子显微镜( FE-SEM),椭圆偏振仪、电化学CV等等。
  3.器件工艺:本人非常熟悉包括光刻 the operation of an e-gun evaporator, RTA system, RIE, PECVD and wires bonding等半导体器件工艺和光纤和光电器件的。
  4.完成器件:
  本人设计和制备InP、GaAs和GaN等多种III-V半导体器件;
  InGaN/GaN 发光二极管(LED) ;
  1.48m InGaAs/InP 应变量子阱激光器( LD);
  InGaAs(P)/InP 异质结光电晶体管 (HPT);
  InGaAs(P)/InP PIN 光电探测器 (PD)。
  5.理论:利用 K. P. 理论计算InGaAs/InP应变量子阱的能带和性能
  6.发表学术论文近100篇,申请专利10多项
  7.课题:
  “863”项目主要参加者完成:InGaAs/InP应变量子阱激光器的研究
  曾作为下面二个国家“七.五”功关项目负责人:a. 高速 InGaAs/InP PIN 光电探测器;b. InGaAs/InP PIN 光电探测器的可靠性分析
  省自然科学基金负责人完成:实用化InGaAs/InP PIN光电二极管的研究
  省自然科学基金负责人完成:高速PIN-FET单片集成电路材料的研究
  福建省青年重点基金负责人完成:GaN蓝绿光材料MOCVD生长技术
  国家自然科学基金负责人完成:无应变InAlGaN/GaN PIN 紫外光探测器研究
  省自然科学基金负责人完成:高速PIN-FET单片集成电路材料的研究
  省自然科学基金负责人完成:GaN 基PIN紫外光电探测器的研制
  863计划负责人完成:GaN基材料P型低接触电阻技术及产业化研究
  国家科技攻关计划第二负责人完成:功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术
  省科技项目负责人完成:发光二极管制备关键技术研究
  省科技对接项目第二负责人完成:InP PIN光电探测器产业化研究
 
  教学情况:
  指导多名硕士研究生。
  主讲《半导体激光器物理》、《信息光电材料及其应用》、《现代实验方法》、《半导体光电性质》、《半导体激光器原理》、《现代半导体器件物理》,《量子电子学》、《激光物理》《发光物理专题》和《文献专题》研究生课程。
  主讲《半导体激光器原理》和《C语言》《计算物理》、《半导体器件物理》《色度学》等本科生课程,上机辅导《国际网络上的八种具体操作方法》。

 
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